Окислительностойкий композиционный материал C-SiC
Патент РФ N 2130509:
Осаждение C-SiC в объем пористой заготовки из газовой фазы, содержащей монометилсилан CH3SiH3.
Температура процесса — 600-850 оС
Давление — 20 Па — 20 кПа
Продукты разложения — 87% карбид кремния, 13% водород.
Назначение:
Изготовление неохлаждаемых насадок ЖРД, камер сгорания ЖРД малой тяги, деталей авиационных газотурбинных двигателей (ГТД) и промышленных газотурбинных установок (ГТУ).
Керамокомпозитная (C-SiC) камера сгорания жидкостного ракетного двигателя ДМТ-МАИ-202.
Снижение массы камеры по сравнению с аналогом в 3-4 раза.
Температура работоспособности – 1600 ˚С.
